V7 V7SSD512GBNV3E disque SSD M.2 512 Go Série ATA III 3D TLC NVMe

-11 %

V7 V7SSD512GBNV3E disque SSD M.2 512 Go Série ATA III 3D TLC NVMe

Basé sur 0 avis. - Évaluer le produit

La promotion se termine dans:

Jour

Heure

Min

Sec

34.40€

38.46€

Hors TVA: 29.40€

Prix en points de fidélité: 3410

Stock: En Stock
Modèle: V7SSD512GBNV3E
EAN: 0662919115192
État du produit: Neuf

Il ne reste plus que 3 exemplaire(s) en stock.

Quantité

Ajout au panier

Acheter cet article

Ajouter à la liste de souhaits Comparez ce produit

Description

V7 V7SSD512GBNV3E DISQUE SSD M.2 512 GO SÉRIE ATA III 3D TLC NVME (V7SSD512GBNV3E).

Température de fonctionnement de 0°C à 70°C
Support SATA 3.1 conforme à 6GB/s, 3GB/s et 1.5GB/s
Mise en file d'attente des commandes en mode natif : 32
Mise en veille du dispositif SATA (DevSleep)
Commande de gestion des ensembles de données (TRIM)
Attributs S.M.A.R.T.

Les disques NVME V7 font passer les performances des disques à un niveau supérieur avec des vitesses nettement supérieures à celles des disques SSD SATA ordinaires. Ils sont idéaux pour les jeux et autres applications exigeantes.

Garantie : 3 ans

Caractéristiques

Lecteur optique
Interface	Série ATA III
Mémoire vive
composant pour	PC/ordinateur portable
Poids et dimensions
Largeur	65 mm
Profondeur	120 mm
Hauteur	9 mm
Poids	40 g
Gestion d'énergie
Consommation électrique (Lecture)	2,89 W
Consommation électrique (Ecriture)	3,22 W
Consommation électrique (idle)	0,49 W
Caractéristiques
Pays d'origine	Chine
Conditions environnementales
Température d'opération	0 - 70 °C
Autres caractéristiques
Nom du produit	V7SSD512GBNV3E
Emballage
Largeur de l'emballage	65 mm
Profondeur de l'emballage	120 mm
Hauteur de l'emballage	9 mm
Poids du paquet	40 g
Performance
Vitesse de lecture	1929 Mo/s
Vitesse d'écriture	1500 Mo/s
Certificat
Certification	CE, FCC, RoHS, UKCA, REACH
représentation / réalisation
Capacité du Solid State Drive (SSD)	512 Go
Type de mémoire	3D TLC
Taux de transfert des données	6 Gbit/s
Lecture aléatoire (4KB)	180000 IOPS
NVM Express (NVMe) supporté	Oui
Écriture aléatoire (4KB)	220000 IOPS
Support S.M.A.R.T	Oui
Support TRIM	Oui
File d'attente des commandes natives (NCQ)	Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)	Oui
Support de stockage
Facteur de forme SSD	M.2