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Transcend MTE652T2 2.5" 512 Go PCI Express 3.1 3D NAND NVMe
138.01€
Hors TVA: 117.96€
Prix en points de fidélité: 13700
- Stock: Hors Stock
- Modèle: TS512GMTE652T2
- État du produit: Neuf
Description
TRANSCEND MTE652T2 2,5" 512 GO PCI EXPRESS 3.1 3D NAND NVME (TS512GMTE652T2).
- Cache DRAM intégré
- 30µ" doigt d'or sur le circuit imprimé
- Endurance : 3K cycles P/E (cycles de programmation/effacement) garantis
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Composants clés renforcés par défaut avec la technologie Corner Bond
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Fonctionnalité ECC (code de correction d'erreur) LDPC intégrée
Le SSD MTE652T2 M.2 de Transcend est doté de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 et est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3, offrant des vitesses de transfert inégalées. Le MTE652T2 est doté de la dernière technologie 3D NAND pour une meilleure efficacité de stockage, d'un doigt d'or de 30µ" sur le PCB et de la technologie Corner Bond. et la technologie Corner Bond pour une durabilité accrue, un cache DRAM intégré pour un accès rapide, une plage de température de fonctionnement étendue de -20°C à 75°C, et une endurance de 3K cycles de programmation/effacement pour un fonctionnement fiable
Garantie : 3 ans
Caractéristiques
Lecteur optique | |
Interface | PCI Express 3.1 |
Mémoire vive | |
composant pour | PC |
Poids et dimensions | |
Largeur | 80 mm |
Profondeur | 3,58 mm |
Hauteur | 22 mm |
Poids | 9 g |
Conditions environnementales | |
Taux d'humidité de fonctionnement | 5 - 95% |
Gestion d'énergie | |
Consommation d 'énergie (en mode veille) | 0,6 W |
Tension de fonctionnement | 3,3 V |
Conditions environnementales | |
Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
Vibrations en fonctionnement | 20 G |
Conditions environnementales | |
Température d'opération | -20 - 75 °C |
Température hors fonctionnement | -55 - 85 °C |
Autres caractéristiques | |
Nom du produit | MTE652T2 |
Conditions environnementales | |
Température minimale de fonctionnement | -20 °C |
Performance | |
Vitesse de lecture | 2100 Mo/s |
Vitesse d'écriture | 1000 Mo/s |
Certificat | |
Certification | CE, FCC, BSMI |
représentation / réalisation | |
Capacité du Solid State Drive (SSD) | 512 Go |
Type de mémoire | 3D NAND |
Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
Lecture aléatoire (4KB) | 190000 IOPS |
NVM Express (NVMe) supporté | Oui |
Écriture aléatoire (4KB) | 290000 IOPS |
Version NVM Express (NVMe) | 1.3 |
ECC | Oui |
Autres caractéristiques | |
Température maximale de fonctionnement | 75 °C |
Détails techniques | |
Certificats de durabilité | RoHS |
représentation / réalisation | |
Temps moyen entre pannes | 3000000 h |
Support de stockage | |
Facteur de forme SSD | 2.5" |
Avis
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