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Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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401.42€
Hors TVA: 343.09€
Prix ​​en points de fidélité: 39800
  • Stock: En Stock
  • Modèle: MZ-V9S4T0BW
  • EAN: 8806095575667
  • État du produit: Neuf

Description

SAMSUNG MZ-V9S4T0 4 TO M.2 PCI EXPRESS 4.0 NVME V-NAND TLC (MZ-V9S4T0BW).


  • Lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s
  • Plus efficace et moins énergivore
  • Interfaces PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2
  • Contrôle thermique intelligent

Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
L'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.Une vitesse spectaculaire tous les jours
Restez au frais même avec des performances fulgurantesUne puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.
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Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.Donner vie aux innovations
PerformanceAugmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.
L'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.Efficacité énergétique
PolyvalenceJusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.



Caractéristiques

Lecteur optique
Interface PCI Express 4.0
Mémoire vive
composant pour PC
Poids et dimensions
Largeur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Hauteur 22,1 mm
Poids 9 g
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 70 °C
Autres caractéristiques
Nom du produit MZ-V9S4T0
Performance
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Caractéristiques
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
représentation / réalisation
Capacité du Solid State Drive (SSD) 4 To
Type de mémoire V-NAND TLC
Lecture aléatoire (4KB) 850000 IOPS
NVM Express (NVMe) supporté Oui
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS
Version NVM Express (NVMe) 2.0
Support S.M.A.R.T Oui
Support TRIM Oui
Le chiffrement matériel Oui
Réseau
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
représentation / réalisation
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support de stockage
Facteur de forme SSD M.2

Avis

Avis sur Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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